MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) 1.200 V a basso profilo TO-247-4 di Wolfspeed presentano commutazione ad alta velocità con basse capacità e alta tensione di blocco con bassa resistenza in conduzione. Questi MOSFET di potenza riducono le perdite di commutazione e i requisiti di raffreddamento e riducono al minimo il gate ringing. I MOSFET di potenza SiC 1200 V incorporano un diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Q_rr). Questi MOSFET di potenza aumentano la densità di potenza e la frequenza di commutazione del sistema. I MOSFET di potenza SiC 1200 V sono disponibili in package ottimizzati con pin sorgente driver separati e sono disponibili in un corpo package TO-247-4 di profilo più basso. Questi MOSFET di potenza sono privi di alogeni e conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono controllo motori, caricabatterie EV, convertitori CC/CC ad alta tensione, solari/ESS, UPS e PSU entreprise.