EL Series High Voltage MOSFETs

Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs are N-channel MOSFETs that reduces switching and conduction losses. These high voltage MOSFETs feature low Figure-Of-Merit (FOM), low input capacitance, and low gate charge. The EL high voltage MOSFETs operate in 650V drain-to-source voltage (VDS) and employs single configuration. These high voltage MOSFETs come with Unclamped Inductive Switching (UIS) avalanche energy rating. Typical applications for Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs include server and telecom power supplies, lighting, welding, induction heating, motor drives, and battery chargers.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 21A N-CH MOSFET
Scheda dati
904A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 197 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SIHG Non disponibile a magazzino
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC Non disponibile a magazzino
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 69 A 42 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 342 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement