MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK

I MOSFET trench a canale N 2N7002AK di Nexperia sono transistori a effetto campo (FET) in modalità di potenziamento in piccoli contenitori in plastica SMD (a montaggio superficiale di piccole dimensioni) che utilizzano la tecnologia MOSFET trench. Questi dispositivi conformi a AEC-Q101 offrono compatibilità a livello logico in un ampio intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a +175 °C. Le applicazioni dei MOSFET trench a canale N 2N7002AK di Nexperia includono driver di relè e linee ad alta velocità, interruttori di carico laterali e circuiti di commutazione.