Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

NVHL025N065SC1

Name: onsemi NVHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N065SC1
Price: 25.74 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NVHL025N065SC1

N. produttore:

NVHL025N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:

NVHL025N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NVHL025N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	99 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	19 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	164 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	348 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	51 ns
Serie:	NVHL025N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	34 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NVHL025N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL025N065SC1

I MOSFET (SiC) (al carburo di silicio NVHL025N065SC1 di onsemi sono MOSFET 650 V 25 mΩ che forniscono prestazioni di commutazione superiori. Il dispositivo NVHL025N065SC1 di onsemi offre un'affidabilità superiore rispetto al silicio e una bassa resistenza di conduzione. Le ridotte dimensioni del chip dei MOSFET garantiscono una bassa capacità elettrica e una bassa carica del gate. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni del sistema ridotte.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ONSEMI

MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

Maggiori informazioni

NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V

Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.

Maggiori informazioni

MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1

Presenta un RDS_(ON)massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.

Maggiori informazioni

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S

Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.

Maggiori informazioni

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1

Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.

Maggiori informazioni

A magazzino: 448

A magazzino:: 448 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 19 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	25,74 €	25,74 €
	18,81 €	188,10 €
	17,01 €	2.041,20 €

NVHL025N065SC1

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Caratteristiche tecniche

Documenti (2)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL025N065SC1

MOSFET EliteSiC M2

PRODOTTI IN PRIMO PIANO ONSEMI

A magazzino: 448

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ONSEMI