Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STGD6M65DF2

N. produttore:

STGD6M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

STGD6M65DF2 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STGD6M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	12 A
Pd - Dissipazione di potenza:	88 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGD6M65DF2
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	12 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 uA
Tipo di prodotto:	IGBTs
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	330 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

STGD6M65DF2 Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

STMICROELECTRONICS

Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM

Questo dispositivo è ideale per gli azionamenti dei motori che operano fino a 20 kHz in circuiti a commutazione rigida.

Maggiori informazioni

IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2

Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.

Maggiori informazioni

IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo

Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.

Maggiori informazioni

IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG

Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.

Maggiori informazioni

IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG

Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.

Maggiori informazioni

A magazzino: 2.042

A magazzino:: 2.042

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 2.500

18/06/2027 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 20

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,71 €	1,71 €
	1,08 €	10,80 €
	0,707 €	70,70 €
	0,561 €	280,50 €
	0,536 €	536,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,456 €	1.140,00 €
	0,438 €	2.190,00 €
	0,427 €	4.270,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

STGD6M65DF2

Condividi questo

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Completa il tuo progetto

Caratteristiche tecniche

Documenti (7)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

IGBT V Series

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO STMICROELECTRONICS

A magazzino: 2.042

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Completa il tuo progetto

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

STMICROELECTRONICS