STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marchio: STMicroelectronics
Kit di sviluppo: EVLSTDRIVEG611
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 1.02 nA
Tensione di uscita: 220 V
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 60 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 7 Ohms
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 490
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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Attributi selezionati: 0

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Codici di conformità
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte   STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V. 

Driver di porta half-bridge STDRIVEG211

I driver gate a semiponte STDRIVEG211 di STMicroelectronics sono progettati per GaN a modalità di potenziamento a canale N e la sezione driver high-side è in grado di sopportare una tensione di alimentazione fino a 220 V. Questi driver sono caratterizzati da un'elevata capacità di corrente, un breve ritardo di propagazione con un eccellente adattamento del ritardo e LDO integrati. Ciò li rende ottimizzati per la gestione di GaN ad alta velocità. I driver di gate a semiponte STDRIVEG211 sono dotati di UVLO di alimentazione su misura per applicazioni a commutazione rigida, interblocco per evitare condizioni di conduzione incrociata e un comparatore di sovracorrente con SmartSD. Questi driver offrono un intervallo esteso per pin di ingresso che consente un facile collegamento con i controller. Un pin di standby consente di ridurre il consumo energetico durante i periodi di inattività o in modalità burst. Le applicazioni includono microinverter solari, amplificatori audio di classe D, biciclette elettriche, illuminazione a LED, USB-C, utensili elettrici e robotica.

A magazzino: 664

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
2,59 € 2,59 €
1,93 € 19,30 €
1,76 € 44,00 €
1,58 € 158,00 €
1,50 € 375,00 €
1,46 € 715,40 €
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