GTRA412852FC-V1-R2
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Produttore:
Descrizione:
GaN FETs 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
- USHTS:
- 8541290055
- ECCN:
- 3A001.b.3.a.4
- Paese di origine:
- Stati Uniti d'America
- Paese di origine dell'assemblaggio:
- Non disponibile
- Paese di diffusione:
- Non disponibile
Disponibilità
-
A magazzino:
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Italia
