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IRLR2908PBF

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N. Mouser:

942-IRLR2908PBF

N. produttore:

IRLR2908PBF

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms

Ciclo di vita:

Obsoleto

Scheda dati:

IRLR2908PBF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Avviso di spedizione:

Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	28 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	120 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	55 ns
Transconduttanza diretta - Min:	35 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	95 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	36 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Alias n. parte:	SP001567410
Peso unità:	330 mg