Infineon Technologies CI driver di porta SOI (Silicon-on-Insulator)

I CI driver di porta Silicon-on-Insulator (SOI) di Infineon sono CI driver di porta ad alta tensione con spostamento di livello per IGBT e MOSFET. La tecnologia SOI è una tecnologia ad alta tensione e a scorrimento di livello che fornisce vantaggi unici, misurabili e migliori del settore. Questi includono il diodo di bootstrap integrato (BSD) e la robustezza migliore del settore per proteggere da picchi di tensione transitoria negativa. Ogni transistor è isolato dal biossido di silicio sepolto, che elimina i transistor bipolari parassiti che causano latch-up. Questa tecnologia può anche ridurre le perdite di potenza di spostamento di livello per ridurre al minimo la dissipazione di potenza di commutazione del dispositivo. Il processo avanzato consente la costruzione di circuiti monolitici ad alta tensione e bassa tensione con vantaggi tecnologici avanzati.

Questi driver di porta Silicon-on-Insulator (SOI) includono i driver di porta SOI a mezzo ponte 2ED218x (alta corrente 650 V, 2,5 A) e 2ED210x (bassa corrente 650 V, 0,7 A). Entrambi i dispositivi includono due opzioni di package: DSO-8 e DSO-14.

Caratteristiche

Principali vantaggi della tecnologia Infineon SOI
- L’immunità alla tensione transitoria negativa previene il funzionamento errato e il latch-up migliorando al contempo l’affidabilità
- I diodi di bootstrap integrati in basso ohmico (BSD) hanno il più basso recupero inverso e perdite dirette
- Maggiore efficienza, commutazione più veloce, minore temperatura e maggiore affidabilità
- Le perdite minime di spostamento di livello migliorano l'efficienza del driver e consentono la progettazione flessibile dell'alloggiamento
- I filtri di ingresso integrati migliorano l'immunità al rumore
- 200 V, 600 V, 650 V e 1.200 V resistono alle tensioni per ogni classe di progettazione di tensione fornendo un margine operativo