Infineon Technologies Scheda dimostrativa R 12V PDU SWITCH20
La scheda dimostrativa R 12V PDU SWITCH20 di Infineon Technologies include protezione da sovracorrente e cavo I-t più un percorso di precaricamento separato per avviare rapidamente unità di controllo elettroniche con un’elevata capacità di ingresso. La scheda dimostrativa per la rete a 12 V è costituita da transistor-MOSFET di potenza in tecnologia OptiMOS™ (IAUTN04S7N003) in una configurazione back-2-back che taglia la corrente da entrambe le direzioni. Per aumentare la capacità di corrente, viene utilizzata una configurazione parallela. I gate sono controllati dall'APD EiceDRIVER™ 2ED2410-EM, predisposto per ISO-26262, che offre diverse funzioni di protezione. Un sensore di corrente a effetto halll senza nucleo (TLE4972-AE35D5) sul percorso high-side elabora la misura di corrente senza l'implementazione di diodi di rotazione libera. La corrente di commutazione nominale è circa 200 A con raffreddamento tramite cavi.
Caratteristiche
- interruttore di distribuzione dell’alimentazione per correnti continue fino a 200 A
- 1 canale di uscita a monte in una struttura MOSFET back-to-back a source comune
- 1 canale per un percorso di pre-caricamento dedicato fino a 30 mF
- Monitoraggio di corrente basato su effetto hall senza nucleo a monte
- Protezione dei cavi integrata
- Protezione da sovracorrente con soglie regolabili
- Adatto per automotive
- Dimensioni 135 mm x 100 mm
- Portata di alimentazione da 8 V a 36 V
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Settore automotive
- Relè
- Veicoli edili e agricoli (CAV)
- Distribuzione di energia
Diagramma a blocchi
Componenti integrati
Infineon Technologies Gate driver MOSFET 2ED2410-EM
Presenta due uscite di gate indipendenti per applicazioni automobilistiche 12V/24V.
Infineon Technologies Sensore di corrente coreless magnetico TLE4972 XENSIV™
Integra un segnale sensore proporzionale alla corrente misurata e 2 pin di rilevamento sovracorrente.
Pubblicato: 2023-10-25
| Aggiornato: 2023-11-16