Infineon Technologies MOSFET OptiMOS™ PD (Power Delivery)

I MOSFET (Power Delivery) OptiMOS™ di Infineon Technologies sono ideali per le progettazioni USB-PD e fast charger, che supportano tempi brevi di risposta dei cavi e dei preventivi rapidi. I MOSFET a livello logico nei package PQFN 3,3 mm x 3,3 mm e SuperSO8 sono stati ottimizzati per il raddrizzamento sincrono in applicazioni SMPS da 25 V a 150 V. L’azionamento a livello logico fornisce una bassa tensione di soglia del gate (VGS (th), che consente di pilotare MOSFET a bassa e media tensione da 4,5 V o direttamente da microcontroller, riducendo il numero dei componenti nell’applicazione.

Caratteristiche

Basso valore R_DS(on) in un package compatto, senza aumentare le cariche
Progetti ad alta efficienza e densità di potenza
La bassa carica del gate (Q_g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere quelle di conduzione
Perdite complessive e di commutazione inferiori
Bassa carica di recupero inverso (Q_rr) e bassa carica di uscita (Q_oss)
Basso overshoot in raddrizzamento sincrono

Compatibile a livello di logica
Le parti a livello logico possono essere pilotate completamente da 4,5 V o direttamente dai microcontroller (commutazione lenta)
Supporta alte frequenze di commutazione
Minore generazione di calore nell'applicazione
Cifre di merito migliorate per il funzionamento ad alte frequenze di commutazione
Eccellente comportamento termico