Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V

I transistori CoolGaN™ G5 da 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia di transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza. La famiglia G5 da 650 V è adatta alle sfide delle applicazioni di consumo, dei data center, industriali e solari. I transistori offrono un'efficienza e una densità di potenza di sistema migliorate, con una capacità di commutazione ultraveloce. La tecnologia CoolGaN offre soluzioni discrete e integrate progettate per migliorare le prestazioni complessive del sistema. I transistori CoolGaN 650 V G5 di Infineon Technologies consentono alte frequenze operative e riducono i livelli di EMI. I transistori sono ideali per la distribuzione di energia, alimentatori a commutazione (SMPS), telecomunicazioni e altre applicazioni industriali.

Caratteristiche

  • transistor gan da 650 V
  • Processo di fonderia interno da 8" ad alte prestazioni
  • Modalità di potenziamento (e-mode)
  • stadi di potenza integrati
  • Velocità di commutazione ultra-rapida
  • Nessuna carica di recupero inverso
  • Capacità di conduzione inversa
  • Bassa carica del gate e dell'uscita
  • Robustezza di commutazione superiore
  • La tecnologia del transistor normalmente OFF garantisce un funzionamento sicuro
  • Consente un controllo della distribuzione dell'energia rapido e preciso
  • Migliora l'efficienza e l'affidabilità del sistema
  • Garante di prestazioni robuste in condizioni difficili
  • Protezione ESD secondo lo standard JEDEC
  • Protezione ESD da 2 kV HBM
  • Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Elettronica di consumo
  • Data centre
  • Settore industriale
  • Adattatori/caricatori USB-C
  • Distribuzione di energia
  • Server
  • Telecomunicazioni
  • Sistemi di conservazione dell'energia solare
  • SMPS

Schema di circuito di applicazione

Schema di circuito di applicazione - Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V

Infografica

Infografica - Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
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Codice prodotto Scheda dati Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate
IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 Scheda dati 170 mOhms 1.8 nC
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 Scheda dati 22 A 70 mOhms 4.7 nC
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Scheda dati 18 A 100 mOhms 25 nC
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Scheda dati 16 A 140 mOhms 2.4 nC
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 Scheda dati 13 A 170 mOhms 1.8 nC
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 Scheda dati 20 A 70 mOhms 4.7 nC
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 Scheda dati 18 A 100 mOhms 3.3 nC
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 Scheda dati 20 A 140 mOhms 2.4 nC
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 Scheda dati 12 A 170 mOhms 1.8 nC
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Scheda dati 70 A 30 mOhms 11 nC
Pubblicato: 2024-08-02 | Aggiornato: 2025-09-26