Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
I transistori CoolGaN™ G5 da 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia di transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza. La famiglia G5 da 650 V è adatta alle sfide delle applicazioni di consumo, dei data center, industriali e solari. I transistori offrono un'efficienza e una densità di potenza di sistema migliorate, con una capacità di commutazione ultraveloce. La tecnologia CoolGaN offre soluzioni discrete e integrate progettate per migliorare le prestazioni complessive del sistema. I transistori CoolGaN 650 V G5 di Infineon Technologies consentono alte frequenze operative e riducono i livelli di EMI. I transistori sono ideali per la distribuzione di energia, alimentatori a commutazione (SMPS), telecomunicazioni e altre applicazioni industriali.Caratteristiche
- transistor gan da 650 V
- Processo di fonderia interno da 8" ad alte prestazioni
- Modalità di potenziamento (e-mode)
- stadi di potenza integrati
- Velocità di commutazione ultra-rapida
- Nessuna carica di recupero inverso
- Capacità di conduzione inversa
- Bassa carica del gate e dell'uscita
- Robustezza di commutazione superiore
- La tecnologia del transistor normalmente OFF garantisce un funzionamento sicuro
- Consente un controllo della distribuzione dell'energia rapido e preciso
- Migliora l'efficienza e l'affidabilità del sistema
- Garante di prestazioni robuste in condizioni difficili
- Protezione ESD secondo lo standard JEDEC
- Protezione ESD da 2 kV HBM
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Elettronica di consumo
- Data centre
- Settore industriale
- Adattatori/caricatori USB-C
- Distribuzione di energia
- Server
- Telecomunicazioni
- Sistemi di conservazione dell'energia solare
- SMPS
Schema di circuito di applicazione
Infografica
View Results ( 14 ) Page
| Codice prodotto | Scheda dati | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Qg - Carica del gate |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 | ![]() |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | ![]() |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | ![]() |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | ![]() |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | ![]() |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | ![]() |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
Pubblicato: 2024-08-02
| Aggiornato: 2025-09-26

