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Infineon Technologies Driver di porta EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V High-Side driver di porta sono progettati per fornire un controllo robusto ed efficiente per l'alimentazione ad alta tensione dei transistori. Questi driver di porta Infineon presentano una funzionalità di architettura high-side driver che supporta una vasta gamma di applicazioni inclusi azionamenti motori solari, inverter e alimentatori industriali. Con una tensione massima nominale di 650 V, la serie 1ED21x7x garantisce un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi. Le caratteristiche principali includono diodi di avvio integrati, capacità di commutazione rapide e meccanismi di protezione completi come il blocco per sottotensione (UVLO) e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono la serie EiceDRIVER™ 1ED21x7x la scelta ideale per migliorare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi di alimentazione ad alta tensione.

Caratteristiche

  • Infineon tecnologia SOI a film sottile
  • Tensione di blocco massima +650 V
  • Corrente di sorgente/sink di uscita ±4 A
  • Tensione di alimentazione massima 25 V
  • Diodo di bootstrap a basso RDS(ON)ultrarapido integrato
  • 100 V negativo VS immunità transitorio
  • Rilevamento della corrente eccessiva e della sottotensione
  • RCIN/guasto/attivazione (RFE) multifunzione con tempo di cancellazione del guasto programmabile
  • Ritardo di propagazione inferiore a 100 ns
  • Package PG-DSO-8
  • Qualificato per applicazioni industriali secondo i test pertinenti di JEDEC47/20/22
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Motori elettrici, inverter per uso generico
  • Carrelli sollevatori
  • Veicoli elettrici leggeri

Specifiche

  • Tensione di alimentazione del pozzo fluttuante di lato alto massima di 672 V
  • Portata di tensione di offset dell'alimentazione del pozzo flottante lato alto da 0 V a 650 V
  • Tensione di alimentazione massima del pozzo fluttuante laterale alta: 22 V
  • Tensione di alimentazione massima laterale bassa: 22 V
  • Portata della tensione I/O logico (HIN/RFE): da 0 V a 5 V
  • Dispersione di alimentazione offset massima del pozzo fluttuante laterale alta: 5 µA
  • Corrente di alimentazione quiescente massima VBS 350 µA, tipico 270 µA
  • Corrente di alimentazioneVCCmassima in stato di quiete 400 µA, 270 µA tipico
  • Crollo tipico della tensione di uscita ad alto livello 0,46 V
  • Crollo tipico della tensione di uscita a basso livello 0,26 V
  • 4 A tipico picco corrente di uscita accensione/spegnimento
  • Corrente di polarizzazione di ingresso massima da 1 µA a 50 µA
  • Diodo di avvio
    • Portata della tensione diretta da 0,6 V a 1,1 V tra VCCe VB
    • 71 mA corrente diretta tipico tra VCC e VB
    • 50 Ω resistenza massima, 35 Ω tipico
  • Intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a +125 V

Applicazione Tipica

Schema di circuito di applicazione - Infineon Technologies Driver di porta EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V

Diagramma a blocchi funzionale

Schema a blocchi - Infineon Technologies Driver di porta EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V

Strumento di sviluppo

Infineon Technologies Scheda di valutazione EVAL1EDSICPFC5KWTOBO1

Soluzione ad alta efficienza progettata per applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).

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Pubblicato: 2025-04-14 | Aggiornato: 2025-04-21