Infineon Technologies MOSFET di potenza StrongIRFET™ da 100 V a 150 V
I MOSFET di potenza StrongIRFET™ da 100 V a 150 V di Infineon Technologies sono ottimizzati per bassa resistenza in conduzione (RDS(on) e alta capacità di corrente. Questi dispositivi offrono un RDS(on) fino a 1,3 mΩ a 100 V e una capacità di gestione della corrente fino a 209 A a 100 V. Queste caratteristiche riducono le perdite di conduzione e aumentano la densità di potenza pur rimanendo compatibili con le progettazioni precedenti. I MOSFET di potenza StrongIRFET sono ideali per applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si adatta a una vasta gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori CC-CC.
I MOSFET di potenza StrongIRFET™ di Infineon Technologies da 100 V a 150 V sono offerti in un package TO-247 standard del settore con un ampio intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a + 175°C.
Caratteristiche
- RDS(on) fino a 1,3 mΩ a 100 V
- Capacità di trasporto di corrente fino a 209 A a 100 V
- Tensione drain-to-source da 100 V e 150 V
- Qualifica del prodotto secondo lo standard JEDEC
- Capacità pienamente caratterizzata e SOA Avalanche
- Robustezza migliorata a dV/dt gate, a valanga e dinamica
- Capacità dV/dt e dI/dt del diodo migliorata
- Ampio intervallo delle temperature di funzionamento da -55° a +175°C.
- Il package TO-247 standard del settore consente la sostituzione immediata
Applicazioni
- Gruppo statico di continuità (UPS)
- Inverter di potenza solari
- Amplificatori audio di classe D
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Unità di azionamento motori a spazzole e BLDC
- Circuiti alimentati a batteria
Specifiche
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Circuito di applicazione tipico
Profilo del package
Pubblicato: 2022-09-21
| Aggiornato: 2022-09-22