MOSFET di potenza Fairchild

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Fairchild offre la più ampia gamma di MOSFET PowerTrench® del settore. È possibile scegliere la tecnologia di MOSFET più adatta alla propria applicazione. Fairchild offre MOSFET a canale N e a canale P fabbricati utilizzando il processo PowerTrench® avanzato e ottimizzato per garantire una maggiore robustezza e prestazioni di commutazione a basso R_DS(on). Questi MOSFET PowerTrench® sono disponibili in diverse versioni adatte alle esigenze delle più svariate applicazioni, quali commutatori di carico, commutazione primaria, computer portatili, convertitori CC-CC, rettificatori sincroni e altro ancora.

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• Basso FOM RDS(on)*QG
• Bassa carica di recupero di inversione, Qrr
• Diodo a corpo di recupero inverso graduale
• Consente un'alta efficienza nel raddrizzamento sincrono
• Collaudati al 100% con il metodo avalanche
• Conforme a RoHS

• Raddrizzamento sincrono per alimentatori CA/CC
• Convertitori da CC a CC isolati
• Caricabatteria e circuito di protezione della batteria
• Unità di azionamento motori CC
• Micro invertitore solare
• UPS

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I MOSFET a tecnologia planare QFET Fairchild offrono una bassa carica del gate, bassa resistenza in conduzione (R_DS(on)), basso Crss, di/dt ottimizzato, commutazione rapida e bassa capacità di uscita (C_oss).

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I MOSFET di potenza SuperFET® di Fairchild sono una nuova generazione proprietaria di MOSFET ad alta tensione che utilizzano un meccanismo di carica avanzato che offre una resistenza in conduzione eccezionalmente bassa e minori prestazioni di carico del gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre al minimo le perdite in conduzione, migliorare le prestazioni di commutazione e resistere a valori dv/dt estremi e a una maggiore energia nominale. Questi MOSFET SuperFET® sono adatti per varie conversioni di potenza CA/CC in modalità di commutazione per la miniaturizzazione di sistemi e l'aumento dell'efficienza.

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MOSFET di potenza II SuperFET®

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I MOSFET di potenza SuperFET FRFET di Fairchild offrono un basso trr e Qrr, che consente un'alta frequenza di funzionamento (>250 kHz). Le caratteristiche includono anche una maggiore immunità dv/dt di recupero del diodo, una maggiore immunità dv/dt di spegnimento e migliori caratteristiche EMI (recupero graduale). I package offrono vantaggi quali dimensioni superiori, minore altezza del package ed eccellenti prestazioni termiche ed elettriche.

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I MOSFET di potenza SupreMOS™ di Fairchild sono l'ultima generazione di MOSFET super-junction ad alta tensione che utilizzano un processo di riempimento a trincea profonda che li distingue dai modelli precedenti basati su tecnologie multi-epi. Grazie all'uso di questa tecnologia avanzata e al controllo accurato, SupreMOS garantisce un R_DS(on) eccezionale, prestazioni di commutazione superiori e un'eccellente robustezza.

Risorse aggiuntive:

MOSFET Super-Junction SupreMOS™

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• A*R_{DS(on) di classe superiore} , 19 mΩ*cm2
• Cifra di merito (FOM) superiore, [R_DS(on) x Q_G]
• Minore capacità di ingresso, C_ISS
• Maggiore capacità dv/dt del diodo, 25 V/ns e dv/dt MOSFET superiore, 100 V/ns per facilitare la commutazione
• Consente l'uso di convertitori risonanti ad alta efficienza

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I MOSFET a canale N SyncFET™ PowerTrench® di Fairchild sono progettati per minimizzare le perdite nelle applicazioni di conversione di potenza e la resistenza in stato attivo. Questi dispositivi utilizzano una tecnologia al silicio per migliorare drasticamente le prestazioni e ridurre i costi complessivi del sistema. Grazie al diodo Schottky integrato, i MOSFET a canale N SyncFET™ PowerTrench® di Fairchild offrono prestazioni (alta potenza e gestione della corrente) simili a un MOSFET e a un raddrizzatore Schottky, ma in un unico package. Questa integrazione riduce lo spazio fino al 50% e consente un risparmio sia in termini di costi che di tempi di fabbricazione. Le applicazioni includono notebook, server, dispositivi di telecomunicazione, convertitori buck CC-CC, commutatori CC-CC ad alta efficienza e raddrizzatori sincroni per convertitori CC-CC.

Risorse aggiuntive:

MOSFET a canale N SyncFET™ PowerTrench®

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I MOSFET UniFET™ Fairchild Semiconductor sono transistor a effetto di campo potenza in modalità avanzata prodotti tramite la tecnologia DMOS a striscia planare brevettata di Fairchild. La tecnologia avanzata dei MOSFET UniFET™ di Fairchild Semiconductor è stata messa a punto per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere agli alti impulsi di energia dell'effetto valanga e della modalità di commutazione. Questi MOSFET Fairchild sono adatti per alimentatori a commutazione e correzione del fattore di potenza attivo.

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