Ultime novità per Semiconduttori discreti

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = Vishay Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 1.000 V.

Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 800 V.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04/02/2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

Vishay Soppressori di tensione transitoria XFD11K XClampR®

03/18/2026

- Dispositivi bidirezionali a montaggio superficiale progettati per garantire stabilità alle alte temperature e alta affidabilità.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03/18/2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay Diodi TVS da 3KDFN12CA a 3KDFN100CA

03/02/2026

- I diodi TVS Transzorb® sono progettati per proteggere l'elettronica sensibile dai picchi di tensione.

Vishay Raddrizzatore a ponte monofase in linea KBPE0480

02/16/2026

- Questi dispositivi presentano una bassa caduta di tensione diretta e sono disponibili nel package KBP.

Vishay Raddrizzatori SMD SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02/10/2026

- Questi dispositivi sono disponibili in un package a basso profilo con un'altezza tipica di soli 0,88 mm.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

02/03/2026

- Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Raddrizzatori VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06/03/2025

- Raddrizzatori iperveloci da 1.200 V, 1 A o 2 A in package SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05/20/2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Soppressori di tensione transitoria PAR® a montaggio superficiale

04/17/2025

- Ideale per l'uso nella protezione sensibile elettronica contro i transitori di tensione indotti dai fulmini.

Vishay Raddrizzatori a ponte monofase passivizzati

04/17/2025

- Ideale per la rettifica completa CA/CC ponte onda per i monitor, stampanti e applicazioni dell'adattatore.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04/03/2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diodo a recupero ultraveloce e progressivo VS-EBU15006HN4

03/25/2025

- Diodo da 150 A, ottimizzato per ridurre le perdite e l'EMI/RFI nei sistemi di condizionamento dell'alimentazione ad alta frequenza.

Vishay MOSFET di potenza in carburo di silicio a commutazione singola serie VS-VF

03/17/2025

- MOSFET SiC ad alte prestazioni, ideali per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Vishay Moduli di potenza MOSFET SiC PressFit MAACPAK

03/17/2025

- Progettati per aumentare l'efficienza e l'affidabilità per applicazioni a media-alta frequenza.

Vishay Diodi di protezione ESD VGSOT

03/14/2025

- Offrono bassa resistenza termica e elevate capacità di corrente e potenza in un package SOT-23.

Vishay Diodi a ponte monofase SiC VS-SCx0BA120

11/12/2024

- Ad alte prestazioni, robusto componenti per conversione di potenza efficiente in vari applicazioni.

Vishay MOSFET a canale N SiJK5100E

11/11/2024

- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V con tensione di drenaggio-sorgente di 100 V e dissipazione di potenza massima di 536 W.

Visualizzazione: 1 - 25 di 63

Filtra per:

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

Visualizzazione: 1 - 25 di 1056

Tipi di Semiconduttori discreti

Filtri applicati:

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza