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Linear Integrated Systems Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

Filtri applicati:

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Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs

09/21/2023

- Wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.

Linear Integrated Systems J500 Current Regulating Diodes

09/07/2023

- Wide 0.192mA to 5.6mA current range and are for current-limiting and constant-current applications.

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Filtra per:

Infineon Technologies Automotive CIPOS™ CoolSiC™ MOSFET IPMs

11/05/2026

- Integrate various power and control components, optimize PCB size, and system costs.

Texas Instruments Diodi ESD bidirezionali ESD551/ESD551-Q1

10/27/2026

- Diodi ESD bidirezionali a canale singolo per linee di alimentazione, linee dati e porte I/O.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RS4P063BPHZG con ampia SOA

10/23/2026

- Presenta un'area di funzionamento sicura ampliata che aiuta a sopprimere il guasto secondario.

ROHM Semiconductor Soppressori di tensioni transitorie ESDxxVFM

10/23/2026

- Sono dispositivi altamente affidabili in piccoli contenitori con una struttura epitassiale planare al silicio.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2HR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2EHR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

Diodes Incorporated Transistor a effetto campo DMN2005K N-Ch E-Mode

10/19/2026

- Presenta una bassa resistenza "on", una tensione di soglia del gate molto bassa e prestazioni di commutazione rapide.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.