TO-3P-3 Semiconduttori discreti

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
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148A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
Scheda dati
128A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Scheda dati
209A magazzino
60010/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
Scheda dati
228A magazzino
30016/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Raddrizzatori Dual ultrafast power diode
Scheda dati
474A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
Scheda dati
76A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
Scheda dati
4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
Scheda dati
12A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN 230V 15A
Scheda dati
25.349In ordine
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
Scheda dati
319A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Scheda dati
537In ordine
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
Scheda dati
30002/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor NPN 230V 15A
Scheda dati
1.60016/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT 200 W BETA AUDIO
Scheda dati
2.991In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT PNP 230V 15A
Scheda dati
4.451In ordine
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
Scheda dati
2619/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt
Scheda dati
Tempo di consegna 16 settimane
Min: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 20 Amps 600V
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Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 60 Amps 400V
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Tempo di consegna, se non a magazzino 29 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
Min: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
Min: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
Min: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3