MOSFET SiC – Mouser Italia

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor’s G3R™ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer R_DS(ON) levels from 12mΩ to 1000mΩ and robustness for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver a fast switching frequency, increased power density, reduced ringing (EMI), and a compact size. The G3R SiC MOSFETs are offered in optimized low-inductance discrete packages (SMD and through-hole). The modules are highly optimized for power system designs that require elevated efficiency levels at all operating temperatures and ultra-fast switching speeds with ultra-low losses. GeneSiC SiC MOSFETs provide faster switching and lower ON resistance than silicon-based products. Additional features include superior electric characteristics at high temperatures and significantly lower switching loss, allowing smaller peripheral components to be used.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Risultati: 8

Filtri applicati:

Stile di montaggio

Package/involucro

Vds - Tensione di rottura drain-source

Id - corrente di drain continua

Rds On - Drain-source sulla resistenza

Vgs - Tensione gate-source

Qg - Carica del gate

Pd - Dissipazione di potenza

Ripristina tutto

Ricerca nei risultati

A magazzino

Normalmente a magazzino

Attivo

Nuovi prodotti

A norma RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	Stile di montaggio	Package/involucro	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale
MOSFET SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 55,91 € 1.674A magazzino	Produttore Codice prodotto G3R12MT12K Codice Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	1.674A magazzino	55,91 € 53,36 € 49,71 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
MOSFET SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 101,43 € 102A magazzino	Produttore Codice prodotto G3R20MT17K Codice Mouser 905-G3R20MT17K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	102A magazzino	101,43 € 99,80 € 90,43 € 89,29 € Visualizza Offerta	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	101 A	20 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	256 nC	- 55 C	+ 175 C	569 W	Enhancement
MOSFET SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 26,09 € 289A magazzino	Produttore Codice prodotto G3R30MT12K Codice Mouser 905-G3R30MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	289A magazzino	26,09 € 25,90 € 17,22 € 16,78 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	70 A	30 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	118 nC	- 55 C	+ 175 C	281 W	Enhancement
MOSFET SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 35,23 € 109A magazzino	Produttore Codice prodotto G3R45MT17K Codice Mouser 905-G3R45MT17K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	109A magazzino	35,23 € 25,86 € 25,58 € Visualizza Offerta	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	48 A	45 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	284 W	Enhancement
MOSFET SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 17,27 € 5A magazzino 1.800In ordine	Produttore Codice prodotto G3R160MT17D Codice Mouser 905-G3R160MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	5A magazzino 1.800In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: G3R160MT17D A magazzino: 5 Spedizione immediata In ordine: 600 08/01/2027 previsto 1.200 08/02/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 26 settimane	17,27 € 15,45 € 9,74 € 8,90 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	17 A	160 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	138 W	Enhancement
MOSFET SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 8,74 € 1.74005/10/2026 previsto	Produttore Codice prodotto G3R450MT17D Codice Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	1.74005/10/2026 previsto	8,74 € 5,35 € 5,01 € 4,81 € Visualizza 4,65 € 4,51 € 4,36 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
MOSFET SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET G3R450MT17J-TR GeneSiC Semiconductor 1: 8,59 € 80001/10/2026 previsto	Produttore Codice prodotto G3R450MT17J-TR Codice Mouser 905-G3R450MT17J-TR	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	80001/10/2026 previsto	Nastro continuo 8,59 € 6,24 € 5,99 € 5,62 € Visualizza Nastrati 5,24 € 5,40 € 5,24 € 5,24 € Offerta	Min: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	8 A	630 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement
MOSFET SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 21,77 € Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane	Produttore Codice prodotto G3R40MT12K Codice Mouser 905-G3R40MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Scheda dati	Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane	21,77 € 21,54 € 13,85 € 13,14 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	40 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement

SiC MOSFETs

Filtri applicati:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza