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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

N. produttore:

NTMFWS1D5N08XT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Scheda dati:

NTMFWS1D5N08XT1G Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO8FL-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	253 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.43 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.6 V
Qg - Carica del gate:	83 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	194 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	176 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	43 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns

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Scheda dati

NTMFWS1D5N08XT1G Scheda dati (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Giappone
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Giappone

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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NTMFWS1D5N08XT1G

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Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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