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NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 2.41 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS0D7N04XMT1G

N. produttore:

NTMFS0D7N04XMT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Scheda dati:

NTMFS0D7N04XMT1G Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	323 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	700 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	72.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	134 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.32 ns
Transconduttanza diretta - Min:	244
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8.12 ns
Serie:	NTMFS0D7N04XM
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	39.1 ns
Tipico ritardo di accensione:	25.8 ns

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Scheda dati

NTMFS0D7N04XMT1G Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Giappone

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

PowerTrench Technology

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS0D7N04XM

Il MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS0D7N04XM di onsemi è un MOSFET di potenza a livello di gate standard da 40 V con resistenza in conduzione leader per applicazioni di azionamento di motori. La minore resistenza in conduzione e la carica del gate possono ridurre le perdite di conduzione e azionamento. Un buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo body può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito smorzatore aggiuntivo in un'applicazione.

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A magazzino: 738

A magazzino:: 738

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	1,08 €	108,00 €
	0,877 €	438,50 €
	0,731 €	731,00 €
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NTMFS0D7N04XMT1G

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Caratteristiche tecniche

Documenti (3)

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Conformità commerciale e del prodotto

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MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS0D7N04XM

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