MOSFET di potenza a canale P singolo NTMFS005P03P8Z

Il MOSFET di potenza a canale P singolo NTMFS005P03P8Z di onsemi è ideale per interruttori di carico di potenza, gestione della batteria e protezione (corrente inversa, sovratensione e tensione negativa inversa).  Operando all’interno di un intervallo di temperatura di giunzione da -55°C a +150°C, l'NTMFS005P03P8Z fornisce tensione drain-source di -30 V, resistenza in conduzione di 2,7 mΩ a 10 V e corrente drain/standby di 164 A. L'NTMFS005P03P8Z onsemi è disponibile in un package 5 mm x 6 mm SO8-FL che utilizza una tecnologia avanzata per risparmiare spazio, oltre a offrire un’eccellente conduzione termica.