U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V 12.731A magazzino
Nastro continuo
1,26 €
0,593 €
0,526 €
0,434 €
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0,434 €
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: 5.000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
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0,234 €
Min: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Nastro continuo
0,989 €
0,457 €
0,398 €
0,312 €
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0,23 €
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel