MOSFET di potenza Super Cool a doppio canale OptiMOS™

I MOSFET di potenza Super Cool a doppio canale OptiMOS™ di Infineon Technologies sono transistor di potenza a canale N in package SuperSO8 con capacità di raffreddamento doppio per ottimizzare le prestazioni termiche. I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon sono stati sviluppati per aumentare l'efficienza, la densità di potenza e l'economicità. Questi dispositivi presentano bassa resistenza in stato attivo (R_DS(on)) e bassa carica di recupero inverso (Q_rr) per una maggiore densità di potenza, migliorando anche robustezza e affidabilità del sistema. L'omologazione per +175 °C facilita la progettazione, alternativamente con una maggiore potenza a una maggiore temperatura di esercizio della giunzione o con una maggiore durata alla stessa temperatura di esercizio della giunzione.