MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2 di Infineon Technologies sono progettati per offrire elevata efficienza, robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio di gate unipolari e affidabilità. Questi MOSFET offrono prestazioni superiori nelle topologie a Totem Pole, ANPC, raddrizzatore Vienna e FCC hard-switching. La riduzione della capacità di uscita (Coss) consente ai MOSFET di funzionare a frequenze di commutazione più elevate nelle topologie di commutazione soft Cycloconverter, CLLC, DAB e LLC. I MOSFET CoolSiC™ 750 V G2 presentano una resistenza di conduzione massima di 78 mΩ e perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo della porta. Questi MOSFET sono qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale. Le applicazioni tipiche includono l'infrastruttura di ricarica dei veicoli elettrici, le telecomunicazioni, gli interruttori automatici, i relè a stato solido, gli inverter fotovoltaici e i convertitori CC-CC HV-LV.

Risultati: 30
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
6A magazzino
8.235In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
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: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
167A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
1.046A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
1.052A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
1.174A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Scheda dati
566A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Scheda dati
824A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Scheda dati
1.080A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
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96A magazzino
480In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
474A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
340A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
431A magazzino
1.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
476A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
338A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
490A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750 V
Scheda dati
500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
Scheda dati
32A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
Scheda dati
40A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
Scheda dati
40A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
159A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
167A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Scheda dati
494A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Scheda dati
705A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
726A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
766A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC