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MOSFET OptiMOS-5 per autoveicoli da 60 V IAUZ4xN06S5
I MOSFET OptiMOS™ -5 a 60 V di Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 per il settore automobilistico sono caratterizzati da una bassa resistenza di drain source on state, da una bassa carica di gate e da una bassa capacità di gate, che riducono al minimo le perdite di conduzione e di commutazione. Questi MOSFET a canale N, in modalità di potenziamento, presentano inoltre una carica di recupero inversa estremamente bassa, compresa tra 22,7nC e 23,0nC.