Driver di porta IGBT/SiC avanzati GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

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Qtà RoHS Modello ECAD Serie
Stile di montaggio
Package/involucro
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Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Confezione
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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2.387A magazzino
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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296A magazzino
70414/09/2026 previsto
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray