FET SiC 750 V Gen 4 UJ4C/SC

I FET SiC UJ4C/SC 750 V Gen 4 di Qorvo sono una serie ad alte prestazioni che offre le migliori prestazioni del settore che riducono le perdite di conduzione e aumentano l’efficienza a velocità maggiore, migliorando il rapporto costo-efficacia generale. Disponibile nelle opzioni da 5,4 mΩ a 60 mΩ, la serie Gen 4 Si basa su una configurazione a cascode unica, in cui un JFET SiC ad alte prestazioni è integrato in co-package con un SiC ottimizzato a cascode per produrre un dispositivo SiC con gate drive standard. Le caratteristiche standard di azionamento del gate dei FET UJ4C/SC 750 V consentono la funzionalità di “sostituzione drop-in”. I Progettisti possono migliorare in modo significativo le prestazioni del sistema senza modificare la tensione di azionamento del gate sostituendo IGBT Si esistenti, FET Sì, FET SiC o dispositivi super-junction Si con i FET Qorvo UJ4C/SC.

Risultati: 29
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 600A magazzino
47,26 €
33,72 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 642A magazzino
12,01 €
6,90 €
6,84 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562A magazzino
12,01 €
8,51 €
7,45 €
6,28 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486A magazzino
Nastro continuo
13,08 €
7,66 €
7,25 €
Nastrati
7,25 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648A magazzino
Nastro continuo
12,07 €
6,91 €
6,54 €
Nastrati
6,54 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1.266A magazzino
Nastro continuo
6,77 €
3,66 €
3,62 €
3,49 €
Nastrati
3,49 €
3,05 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278A magazzino
Nastro continuo
21,04 €
15,71 €
13,59 €
12,18 €
Nastrati
12,18 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1.258A magazzino
13,16 €
7,94 €
6,76 €
6,22 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 287A magazzino
Nastro continuo
25,44 €
20,15 €
18,79 €
16,99 €
Nastrati
16,99 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1.630A magazzino
Nastro continuo
43,89 €
35,43 €
32,43 €
Nastrati
32,43 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 712A magazzino
Nastro continuo
29,14 €
21,29 €
20,32 €
20,15 €
Nastrati
20,15 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2.497A magazzino
Nastro continuo
19,75 €
12,81 €
12,08 €
11,44 €
Nastrati
11,44 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2.815A magazzino
Nastro continuo
13,55 €
8,02 €
7,59 €
Nastrati
7,59 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2.525A magazzino
Nastro continuo
11,99 €
6,85 €
6,48 €
Nastrati
6,48 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3.269A magazzino
Nastro continuo
9,90 €
5,54 €
5,33 €
5,04 €
Nastrati
5,04 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1.266A magazzino
Nastro continuo
16,51 €
11,76 €
10,35 €
9,67 €
Nastrati
9,67 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 3.930A magazzino
2.40019/10/2026 previsto
13,36 €
7,64 €
7,10 €
7,06 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 313A magazzino
60018/12/2026 previsto
10,61 €
5,85 €
5,52 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 1.908A magazzino
11,04 €
6,20 €
6,04 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 211A magazzino
13,44 €
7,60 €
7,52 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 291A magazzino
14,64 €
8,32 €
7,82 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 371A magazzino
10,49 €
5,78 €
5,44 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 331A magazzino
Nastro continuo
28,81 €
20,98 €
19,87 €
Nastrati
19,87 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 976A magazzino
17,03 €
12,72 €
11,00 €
10,41 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 10A magazzino
60028/10/2027 previsto
20,14 €
12,46 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET