MOSFET CoolSiC™ 750 V G1

I MOSFET CoolSiC  ™ 750 V G1 di Infineon Technologies sono eccellenti in termini di prestazioni, affidabilità e robustezza. Il G1 CoolSiC   750 V di Infineon presenta un gate drive flessibile per una progettazione semplificata ed economica del sistema. I MOSFET consentono efficienza e densità di potenza ottimizzati.

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Polarità transistor
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
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240A magazzino
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
230A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
230A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
240A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.063A magazzino
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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730A magazzino
MouseReel disponibile
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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86A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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224A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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188A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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186A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 750
Mult.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel