Gate driver di spostamento del livello da 1200 V

I driver di porta di spostamento di livello da 1200 V di Infineon per unità industriali includono driver trifase, a mezzo ponte e a valle adatti per IGBT o MOSFET. Il driver SOI trifase 6ED2230S12T da 1200 V con diodo di bootstrap (BSD) integrato e protezione da sovracorrente utilizza l’esclusiva tecnologia di spostamento di livello SOI (Silicon-on-Insulator)  di Infineon. Il 6ED2230S12T fornisce un isolamento funzionale con un negativo leader del settore rispetto alla robustezza. Fornisce inoltre perdite di spostamento di livello ridotte con il diodo di bootstrap integrato che consente un costo inferiore del materiale e un ingombro ridotto sulla PCB.