MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 di Toshiba per il settore automobilistico sono una vasta gamma di MOSFET di potenza per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Toshiba opera nel settore automobilistico discreto sin dagli anni Sessanta, con i raddrizzatori. Ha introdotto i MOSFET per il settore automobilistico a partire dagli anni Novanta. Quanto a prestazioni e affidabilità, tutti i prodotti per il settore automobilistico di’Toshiba soddisfano e superano gli standard AEC-Q101.

Risultati: 39
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14.862A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET TSON N-CH 60V 20A
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56.440A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 23.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46.180A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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25.796A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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44.758A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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41.001A magazzino
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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17.458A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 81 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.831A magazzino
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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812A magazzino
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 214 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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6.794A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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11.190A magazzino
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.344A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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17.713A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.069A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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16.682A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.835A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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968A magazzino
2.00006/11/2026 previsto
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.682A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.924A magazzino
Min: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.390A magazzino
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.080A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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12.122A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.893A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.876A magazzino
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: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2.464A magazzino
Min: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape