Risultati: 39
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione

IXYS MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET 275A magazzino
19,09 €
16,14 €
12,32 €
11,81 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET 310A magazzino
18,02 €
11,56 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds 274A magazzino
14,91 €
8,96 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT 261A magazzino
57,30 €
45,86 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 248A magazzino
13,75 €
8,07 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds 211A magazzino
9022/12/2026 previsto
10,22 €
6,58 €
6,06 €
5,47 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 165A magazzino
11,09 €
7,28 €
6,76 €
6,10 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds 549A magazzino
4,01 €
2,06 €
1,87 €
1,62 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V 300A magazzino
5,17 €
2,72 €
2,38 €
2,28 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1 127A magazzino
20,80 €
14,70 €
14,69 €
14,40 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds 941A magazzino
1.55005/11/2026 previsto
9,24 €
5,67 €
5,66 €
5,11 €
5,04 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200 598A magazzino
9,20 €
5,56 €
5,04 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET 295A magazzino
30001/03/2027 previsto
29,32 €
22,69 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 247A magazzino
5,93 €
3,16 €
3,00 €
2,67 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT 109A magazzino
30009/11/2026 previsto
13,69 €
7,97 €
7,75 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT 83A magazzino
13,94 €
8,07 €
7,78 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 1A magazzino
16,13 €
10,29 €
9,07 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds 96A magazzino
14,91 €
8,96 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds 300A magazzino
3,62 €
1,87 €
1,69 €
1,44 €
1,43 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
33716/02/2027 previsto
9,66 €
5,52 €
5,09 €
4,92 €
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
2,73 €
Min: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
14,47 €
9,47 €
8,28 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
10,23 €
Min: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
56,48 €
49,07 €
43,20 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds Non disponibile a magazzino
2,37 €
1,75 €
1,47 €
1,37 €
1,28 €
Min: 50
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube