Transistor bipolari a gate isolato modello BID

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) modello BID di Bourns combinano la tecnologia da un gate MOSFET e un transistor bipolare e sono progettati per applicazioni ad alta tensione/alta corrente. Gli IGBT Modello BID utilizzano la tecnologia Trench-Gate Field-Stop avanzata per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, con una tensione di saturazione collettore-emettitore più bassa e minori perdite di commutazione. Gli IGBT presentano un intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a +150°C e sono disponibili in package TO-252, TO-247 e TO-247N. Questi componenti termicamente efficienti offrono una resistenza termica inferiore, che li rende soluzioni IGBT adatte ad alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).