MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

I MOSFET di potenza automotive OptiMOS™ 7 da 100 V di Infineon Technologies sono dispositivi a canale N avanzati progettati per la commutazione di potenza ad elevata efficienza nelle moderne architetture dei veicoli. Costruiti sulla tecnologia OptiMOS™ 7 da 100 V questi MOSFET offrono una bassissima resistenza di conduzione, un comportamento di commutazione rapido e un'elevata capacità di valanga, consentendo di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione mantenendo al contempo una forte robustezza e prestazioni termiche. Queste funzionalità supportano progetti ad alta densità di potenza in pacchetti compatti, ideali per ambienti delsettore automobilistico esigenti che richiedono affidabilità, efficienza e funzionamento coerenti.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET 100 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 3.985A magazzino
Nastro continuo
8,22 €
4,52 €
4,18 €
3,83 €
Nastrati
3,55 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 446 A 0.88 mOhms 20 V 3.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 393 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) 3.818A magazzino
Nastro continuo
1,70 €
0,814 €
0,728 €
0,576 €
Nastrati
0,486 €
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
4.00014/10/2026 previsto
Nastrati
1,75 €
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel