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NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFS012N10MDTAG

N. produttore:

NTTFS012N10MDTAG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Scheda dati:

NTTFS012N10MDTAG Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	WDFN-8
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS012N10MD
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

NTTFS012N10MDTAG Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

PowerTrench Technology

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

MOSFET a canale N NTTFS012N10MD

Il MOSFET a canale N NTTFS012N10MD di onsemi è progettato con un processo avanzato PowerTrench^® che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo R_DS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e mantenere prestazioni di commutazione di livello superiore. Il MOSFET NTTFS012N10MD presenta basso Q_G e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver, basso Q_RR, diodo a corpo a recupero progressivo e basso Q_OSS per migliorare l'efficienza a carico leggero. Le applicazioni tipiche includono interruttori primari in convertitori CC-CC isolati, adattatori CA-CC, raddrizzamento sincrono in CC-CC e CA-CC, motori BLDC, interruttori di carico, e inverter solari.

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NTTFS012N10MDTAG

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Caratteristiche tecniche

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Documenti ambientali

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