Barriera Schottky Trench MOS TMBS®

Le barriere Schottky TMBS® Trench MOS Vishay Semiconductors sono raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky (TMBS®) disponibili in sette tensioni nominali da 45 V a 200 V e con varie opzioni di integrato per soddisfare un'ampia gamma di requisiti di sistema. I raddrizzatori TMBS offrono diversi vantaggi rispetto ai raddrizzatori Schottky planari. Dato che la tensione di funzionamento arriva a 45 V e oltre, i raddrizzatori Schottky planari tendono a perdere in modo sostanziale il vantaggio delle rapide velocità di commutazione e della ridotta caduta della tensione diretta. La brevettata struttura TMBS risolve questo problema grazie a minori iniezioni di portatore minoritario nella regione di deriva, che in tal modo riducono al minimo le cariche accumulate e migliorano le velocità di commutazione.
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