Transistor discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 650 V

I transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ da 650 V di Infineon Technologies sono dotati di tecnologia avanzata che soddisfa la domanda di applicazioni di energia efficiente. I transistori da 650 V diInfineon Technologies presentano un'innovativa progettazione trench a micro-pattern per un controllo preciso e alte prestazioni. Il design comporta una significativa riduzione delle perdite, una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza in vari settori come inverter di stringhe, sistemi di accumulo di energia (ESS), ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuità industriali e saldatura.