Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

SCT4013DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DW7TL
Price: 27.31 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-SCT4013DW7TL

N. produttore:

SCT4013DW7TL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

Scheda dati:

SCT4013DW7TL Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	750 V
Id - corrente di drain continua:	98 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	16.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	170 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	267 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Conformità:	Done
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	17 ns
Transconduttanza diretta - Min:	32 S
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	MOSFET's
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	32 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Polarità transistor:	N-Channel
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	82 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Alias n. parte:	SCT4013DW7

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SCT4013DW7TL Scheda dati

Specification Sheets

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4013DW7

Il MOSFET di potenza SiC a N-Ch SCT4013DW7 di ROHM Semiconductor è un MOSFET a bassa resistenza in conduzione da 750 V, 13 mΩ progettato per alta velocità di commutazione. L'SCT4013DW7 offre un recupero inverso rapido, è facile da mettere in parallelo e semplice da pilotare. L'SCT4013DW7 di ROHM è ideale per inverter solari, riscaldo a induzione e unità motore.

MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) a canale N di 4a generazione di ROHM Semiconductor offrono basse resistenze in conduzione con miglioramenti nel tempo di resistenza a cortocircuito. I MOSFET SiC di 4a generazione sono semplici da azionare e mettere in parallelo. I MOSFET sono caratterizzati da velocità di commutazione/recupero inverso elevate, basse perdite di commutazione e una temperatura operativa massima di +175 °C. I MOSFET di potenza SSiC N-Channel di quarta generazione di ROHM supportano una tensione di commutazione tra gate e source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I MOSFET SiC N-Channel da 750 V di ROHM Semiconductor possono aumentare la frequenza di commutazione, riducendo così il volume dei condensatori, dei reattori e degli altri componenti richiesti. Questi MOSFET SiC sono disponibili nei PackageTO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. I dispositivi hanno una valutazione drain-source statica resistenza in stato attivo [RDS_(on)] (tip.) da 13 mΩ a 65 mΩ e drain continuo (ID) e source current (IS) (TC=25°C) da 22 A a 120 A. Questi MOSFET SiC da 750 V di ROHM Semiconductor offrono alte tensioni di sopportazione, bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, sfruttando le caratteristiche uniche della tecnologia SiC.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

Maggiori informazioni

SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA

Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.

Maggiori informazioni

SCT4045DWAHR AEC-Q101 MOSFET di potenza SiC a canale N

Presenta una tensione nominale drain-source di 750 V e una drain current continua di 31 A (+25°C).

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza AEC-Q101 canale N in carburo di silicio (SiC) SCT4062KWAHR

Presenta una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 24 A (a +25°C).

Maggiori informazioni

A magazzino: 242

A magazzino:: 242

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 1.000

26/10/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 39

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	27,31 €	27,31 €
	19,62 €	196,20 €
	19,61 €	9.805,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	18,58 €	18.580,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

SCT4013DW7TL

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

Caratteristiche tecniche

Documenti (3)

Scheda dati

Specification Sheets

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4013DW7

MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO ROHM SEMICONDUCTOR

A magazzino: 242

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR