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MOSFET di tipo trench a canale N NX6008NBK
I MOSFET di tipo trench a canale N NX6008NBK di Nexperia sono progettati per rapide azioni di commutazione e presentano una bassa tensione di soglia. Questi MOSFET operano a una tensione drain-source (VDS) di 60 V, una tensione gate-source massima di 8 V (VGS) e un intervallo di temperatura di giunzione da -55°C a 150 °C (Tj). I MOSFET NX6008NBK sono ideali per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico a valle e circuiti di commutazione.