Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

I transistori a effetto campo (FET) 2N7002 a canale N in modalità di miglioramento di Diodes Incorporated sono progettati per applicazioni di commutazione a bassa tensione. Questi dispositivi 2N7002 presentano una tensione drain-source (V_DS) massima di 60 V, una corrente drain continua (I_D) compresa tra 105 mA e 210 mA e una bassa resistenza allo stato attivo [R_DS(on)] compresa tra 7,5 Ω e 13,5 Ω. I FET offrono prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate, ideali per applicazioni di elaborazione del segnale, commutazione del carico e spostamento di livello. I transistor Diodes Inc. sono alloggiati in custodie SOT-23 o SOT-323, garantendo un'efficienza di spazio per progetti di circuiti ad alta densità. Inoltre, i FET 2N7002 sono senza piombo, conformi alla direttiva RoHS e progettati per l'assemblaggio automatizzato a montaggio superficiale.