MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 8 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS_(ON)]. I MOSFET da 80 V sono disponibili in package raffreddati su entrambi i lati (WSON-8), mentre il MOSFET da 100 V è disponibile in un package standard TDSON-8. Ogni package offre una resistenza termica superiore ed è testato al 100% per valanga. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 8 di Infineon Technologies presentano un diodo a recupero morbido e sono privi di piombo, alogeni e conformi alla direttiva RoHS.