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IGKA23S101SXTSA1

Name: Infineon IGKA23S101SXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGKA23S101SXTSA1
Price: 1.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

726-IGKA23S101SXTSA1

N. produttore:

IGKA23S101SXTSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IGKA23S101SXTSA1 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SG-UFWLB-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	2.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	230 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6.5 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.9 V
Qg - Carica del gate:	0.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.2 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolGaN
Tecnologia:	GaN
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Prodotto:	Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolGaN Transistor
Alias n. parte:	IGKA23S101S SP006154174

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Scheda dati

IGKA23S101SXTSA1 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Germania
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor CoolGaN™ 100 V G3

I transistor CoolGaN™ G3 da 100 V di Infineon Technologies sono transistor di potenza in modalità di potenziamento (e-mode) normalmente spenti, in un alloggiamento compatto. Questi transistor sono caratterizzati da una bassa resistenza in stato attivo, che li rende la scelta ideale per prestazioni affidabili in applicazioni esigenti ad alta corrente e alta tensione. I transistor CoolGaN sono progettati per migliorare la gestione termica. Le applicazioni tipiche includono soluzioni di amplificazione audio, fotovoltaico, infrastrutture di telecomunicazione, e-Mobility, robotica e droni.

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,88 €	1,88 €
	1,20 €	12,00 €
	0,808 €	80,80 €
	0,654 €	327,00 €
	0,587 €	587,00 €
	0,554 €	1.385,00 €
	0,538 €	2.690,00 €
	0,512 €	5.120,00 €

IGKA23S101SXTSA1

Produttore: Infineon Technologies

Descrizione: GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

Caratteristiche tecniche

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Transistor CoolGaN™ 100 V G3

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Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m

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