Moduli di configurazione doppi TRENCHSTOP™ IGBT7 E7

I moduli a doppia configurazione TRENCHSTOP™ IGBT7 E7 Infineon Technologies sono basati sulla tecnologia a trincea a micro-pattern che riduce le perdite ed offre un’elevata controllabilità. Il concetto di cella è caratterizzato dall'implementazione di celle di trincea parallele separate da mesh sub-micron in contrasto con celle di trincea quadrate. Un chip appositamente ottimizzato per applicazioni di azionamento industriale e sistemi a energia solare fornisce basse perdite statiche, alta densità di potenza e commutazione soft. Con una temperatura di funzionamento massima di +175°C, i moduli consentono un aumento significativo della densità di potenza.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Tecnologia
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Scheda dati
17A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Scheda dati
6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Scheda dati
4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Scheda dati
33A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Scheda dati
52A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Scheda dati
29A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Scheda dati
5A magazzino
1011/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT PP IHM I
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 3
Mult.: 3

Si Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray