Risultati: 11
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1.590A magazzino
1.000In ordine
Nastro continuo
33,23 €
27,12 €
23,96 €
23,82 €
Nastrati
22,37 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2.011A magazzino
Nastro continuo
23,89 €
16,50 €
16,46 €
15,56 €
Nastrati
14,52 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245A magazzino
Nastro continuo
15,32 €
11,67 €
9,73 €
8,67 €
Nastrati
8,09 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1.603A magazzino
Nastro continuo
11,64 €
7,10 €
6,97 €
Nastrati
6,63 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502A magazzino
1.00006/05/2027 previsto
Nastro continuo
8,07 €
5,51 €
4,54 €
4,05 €
Nastrati
3,79 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3.615A magazzino
Nastro continuo
4,53 €
2,36 €
2,14 €
1,89 €
Nastrati
1,88 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79A magazzino
1.00031/12/2026 previsto
Nastro continuo
9,81 €
6,94 €
5,78 €
5,15 €
Nastrati
4,82 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 39A magazzino
2.00008/07/2027 previsto
Nastro continuo
7,06 €
4,97 €
4,02 €
3,58 €
Nastrati
3,16 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 198A magazzino
4.000In ordine
Nastro continuo
5,56 €
3,64 €
2,68 €
2,38 €
Nastrati
2,11 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1.99919/11/2026 previsto
Nastro continuo
17,48 €
13,05 €
11,29 €
10,69 €
Nastrati
9,98 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2.00003/12/2026 previsto
Nastro continuo
6,14 €
4,11 €
3,30 €
2,93 €
Nastrati
2,60 €
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement