FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px

I FET al nitruro di gallio (GaN) da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px di Renesas Electronics sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL. Questi FET GaN utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN^®, che combina un HEMT GaN ad alto voltaggio di ultima generazione con un MOSFET in silicio a basso voltaggio per offrire prestazioni superiori, drive standard, facilità di adozione e affidabilità.