NTHL015N065SC1

onsemi
863-NTHL015N065SC1
NTHL015N065SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:
Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
163 A
18 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 11 ns
Transconduttanza diretta - Min: 44 S
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 77 ns
Serie: NTHL015N065SC1
Quantità colli di fabbrica: 450
Sottocategoria: Transistors
Polarità transistor: N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 47 ns
Tipico ritardo di accensione: 25 ns
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Scheda dati

PCN

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET al carburo di silicio da 12 mohm NTHL015N065SC1

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I MOSFET onsemi a 650V al carburo di silicio (SiC) offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio (Si). Questi MOSFET SiC da 650 V presentano una bassa resistenza di accensione e una dimensione compatta del chip per garantire una bassa capacità e carica di gate. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

A magazzino: 8

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