MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2

I MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 1.200 V G2 di Infineon Technologies offrono soluzioni ad alte prestazioni per applicazioni di elettronica di potenza. Questi MOSFET dimostrano eccellenti caratteristiche elettriche e presentano perdite di commutazione molto basse, consentendo un funzionamento efficiente. I MOSFET G2 1.200 V sono progettati per condizioni di sovraccarico, supportano il funzionamento fino a 200 °C e possono resistere a cortocircuiti fino a 2 µs. Questi dispositivi funzionalità un 4,2 V benchmark gate tensione di soglia VGS_(th) e garantiscono controllo precisi. Il MOSFET CoolSiC 1.200 V G2 è disponibile in tre pacchetti che sfruttano i punti di forza della tecnologia di generazione 1 per fornire soluzioni avanzate per sistemi più efficienti, compatti, facili da progettare, affidabile e con costi ottimizzati. La generazione 2 migliora significativamente i principali parametri di merito per le topologie hard-/soft-switching, ideali per tutte le comuni combinazioni di stadi CC-CC, CA-CC e CC-CA.