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MOSFET di potenza a canale N doppio NTJD5121N/NVJD5121N
I MOSFET di potenza a canale N doppio NTJD5121N/NVJD5121N di onsemi presentano RDS (on), soglia del gate e capacità di ingresso bassi. I MOSFET NTJD5121N/NVJD5121N onsemi presentano una tensione drain-source di 60 V e una corrente di drain continua massima di 295 A. Gli NTJD5121N/NVJD5121N sono qualificati AEC-Q101 e supportano PPAP, ideali per applicazioni nel settore automobilistico.