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NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 4.16 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

N. produttore:

NTMFS3D2N10MDT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Scheda dati:

NTMFS3D2N10MDT1G Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	142 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	48 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	155 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS3D2N10MD
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

NTMFS3D2N10MDT1G Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET a canale N NTMFS3D2N10MD

Il MOSFET a canale N NTMFS3D2N10MD di onsemi è progettato con un processo avanzato PowerTrench^® che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo R_DS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e mantenere prestazioni di commutazione di livello superiore. Il MOSFET NTMFS3D2N10MD presenta bassi Q_G e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver, basso Q_RR,diodo a corpo a recupero progressivo e Q_OSS basso per migliorare l'efficienza a carico leggero. Le applicazioni tipiche includono interruttori primari in convertitori CC-CC isolati, adattatori CA-CC, raddrizzamento sincrono in CC-CC e CA-CC, motori BLDC, interruttori di carico, e inverter solari.

PowerTrench Technology

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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MouseReel™ (+5,00 €)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,16 €	4,16 €
	2,15 €	21,50 €
	1,95 €	195,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	1,95 €	2.925,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

NTMFS3D2N10MDT1G

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Caratteristiche tecniche

Documenti (2)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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MOSFET a canale N NTMFS3D2N10MD

PowerTrench Technology

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