MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V

I MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V di Renesas Electronics implementano la tecnologia split-gate, che riduce significativamente la R_DSONe la cifra di merito, ideale per applicazioni a corrente elevata. I dispositivi sono disponibili nei package TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) e TOLT (TO raffreddato dall’alto) per prestazioni termiche eccezionali e massima capacità di potenza. Inoltre, i MOSFET sono disponibili in package con fianchi bagnabili per prestazioni eccellenti delle giunzioni di saldatura. I MOSFET REXFET-1 sono qualificati AEC-Q100 con supporto PPAP per applicazioni per il settore automobilistico.